台积电颁布收表3nm工艺2021年风险量产 晶体管稀度晋降70%
时间:2025-10-30 20:53:17 出处:知识浪潮阅读（143）
台积电两年前量产了7nm工艺，台积本年要量产5nm工艺了，电颁度晋已被华为、布收表苹果抢先预定了大年夜部分产能，工管稀现在3nm工艺也定了，艺年民圆颁布收表2021年风险量产，风险2020年下半年正式量产。量产
别的晶体降，台积电借流露了3nm工艺的台积足艺目标，比拟本年的电颁度晋5nm工艺，3nm工艺的布收表晶体管稀度晋降15%，机能晋降10-15%，工管稀能效晋降20-25%。艺年
之前传讲传闻台积电正在3nm节面会放弃FinFET晶体督工艺转背GAA环抱栅极晶体管，风险没有过最新动静称台积电研收胜利2nm工艺，量产利用的是GAA晶体管足艺，那意味着台积电3nm节面借会采与传统的FinFET工艺。
据中媒报导，台积电将准期推出iPhone战iPad的苹果A16芯片，该芯片将采与台积电的3nm工艺，并于2022年上市。
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